| 发明名称 | 溅射基于碲化镉的薄膜光伏器件中使用的硫化镉层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及溅射基于碲化镉的薄膜光伏器件中使用的硫化镉层的方法。大体上提供在衬底(12)上溅射硫化镉层(18)的方法。该硫化镉层(18)可以在溅射气氛中从靶(64)溅射在衬底(12)上，其中该靶(64)包括按重量约75％至约100％的镉，并且其中该溅射气氛包括含硫的源气体。该硫化镉层(18)可以在形成碲化镉薄膜光伏器件(10)的方法中使用。 | ||
| 申请公布号 | CN102453863B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201110356243.5 | 申请日期 | 2011.10.27 |
| 申请人 | 初星太阳能公司 | 发明人 | R·D·戈斯曼;S·D·费尔德曼-皮博迪 |
| 分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张金金;朱海煜 |
| 主权项 | 一种制造碲化镉薄膜光伏器件(10)的方法，所述方法包括：在透明传导氧化物层(14)上沉积高阻透明缓冲层，其中所述透明传导氧化物层(14)是在衬底(12)上；在所述高阻透明缓冲层(14)上溅射硫化镉层(18)；和在所述硫化镉层(18)上沉积碲化镉层(20)，其中，在溅射气氛中从靶(64)在衬底(12)上溅射硫化镉层(18)，其中所述靶(64)包括按重量75％至100％的镉，并且其中所述溅射气氛包括含硫的源气体。 | ||
| 地址 | 美国科罗拉多州 | ||