发明名称 用于测试和校准磁场感测器件的方法和结构
摘要 一种在电路(101)中包括至少一个磁致电阻感测元件(100)的感测磁场的方法,该方法包括:提供(702)第一多个电流到与磁致电阻感测元件(100)相邻地设置的稳定线(116);施加(704)第二多个电流至与磁隧道结(100)相邻设置的自测试线(120),第一多个电流中的每一个在第二多个电流中的每一个期间提供。由该磁隧道结感测元件(100)响应于第一多个电流的提供(702)和第二多个电流的施加(704)所感测的值被采样(706),从所采样的值确定(708)磁隧道结传感器(100)的灵敏度以及电和磁偏差。还可以确定偏差的温度系数。
申请公布号 CN102762951B 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201180010293.6 申请日期 2011.01.07
申请人 艾沃思宾技术公司 发明人 P·马瑟
分类号 G01B7/14(2006.01)I;G01R33/06(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I 主分类号 G01B7/14(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 陈华成
主权项 一种在集成电路中感测磁场的方法,该集成电路包括至少一个磁致电阻感测元件,该磁致电阻感测元件包括铁磁感测层,该方法包括:在提供第一电流到与所述至少一个磁致电阻感测元件相邻地设置的稳定线,并提供第二电流到与所述至少一个磁致电阻感测元件相邻地设置的磁场生成线的同时,检测由所述至少一个磁致电阻感测元件所感测的第一值;在提供第三电流到该稳定线,并提供该第二电流到该磁场生成线的同时,检测由所述至少一个磁致电阻感测元件所感测的第二值;在提供该第一电流到该稳定线,并提供第四电流到该磁场生成线的同时,检测由所述至少一个磁致电阻感测元件所感测的第三值;在提供该第三电流到该稳定线,并提供该第四电流到该磁场生成线的同时,检测由所述至少一个磁致电阻感测元件所感测的第四值;基于该第一、第二、第三和第四值确定所述至少一个磁致电阻传感器的灵敏度、磁偏差和电偏差;基于所确定的灵敏度、所确定的磁偏差、以及所确定的电偏差确定多个校准因子;以及存储所述多个校准因子以用于校正后面的测量。
地址 美国亚利桑那