半导体激光器的制造方法

摘要

本发明涉及能稳定地形成使半导体激光器高输出化的窗结构的半导体激光器的制造方法。在n型GaAs基板（1）上依次形成n型包覆层（2）、活性层（3）、p型包覆层（4）以及p型接触层（5）。形成仅在端面附近的窗区域与p型接触层（5）相接触并从p型接触层（5）吸收Ⅲ族原子以促进Ⅲ族空位的产生的促进膜（8）。向窗区域的p型接触层（5）注入离子，造成损伤。在形成促进膜（8）并注入了离子之后，进行热处理，由此，使Ⅲ族空位扩散，在窗区域使活性层（3）无序化，形成窗结构（13）。

主权项

一种半导体激光器的制造方法，其特征在于，具备：在半导体基板上依次形成第一导电型的包覆层、活性层、第二导电型的包覆层以及第二导电型的接触层的工序；形成促进膜的工序，该促进膜仅在端面附近的窗区域与所述接触层相接触，从所述接触层吸收Ⅲ族原子，促进Ⅲ族空位的产生；向所述窗区域的所述接触层注入离子，造成损伤的工序；在形成所述促进膜并注入了所述离子之后，进行热处理，由此使所述Ⅲ族空位扩散，在所述窗区域使所述活性层无序化，形成窗结构的工序，在进行形成所述促进膜的工序后，在所述半导体基板上依次形成了所述第一导电型的包覆层、所述活性层、所述第二导电型的包覆层、所述第二导电型的接触层以及所述促进膜。