由硅构成的半导体晶片和其制造方法

摘要

一种由单晶硅构成的半导体晶片，其具有前侧并具有后侧，并且具有剥蚀区，剥蚀区从所述前侧向后侧延伸、一直延伸到所述半导体晶片的中心与边缘之间平均不小于8μm并且不大于18μm的深度，以及具有邻接所述剥蚀区、且具有其在距所述前侧30μm的距离处密度不小于2×10⁹cm^-3的BMD的区域。一种制造所述半导体晶片的方法，包括提供由单晶硅构成的衬底晶片；和对衬底晶片进行RTA处理，RTA处理再分为在由氩气组成的氛围中对衬底晶片进行第一热处理，和在由氩气和氨组成的氛围中对衬底晶片进行第二热处理。

主权项

一种由单晶硅构成的半导体晶片，其具有前侧且具有后侧，并具有剥蚀区，该剥蚀区从所述前侧向所述后侧延伸，直到在所述半导体晶片的中心与边缘之间平均不小于8μm且不大于18μm的深度，以及具有邻接所述剥蚀区、且在距所述前侧30μm的距离处具有其密度不小于2×10⁹cm^‑3的BMD的区域。