| 发明名称 | 传感器叠层结构 | ||
| 摘要 | 本申请公开了传感器叠层结构。诸如磁存储设备的读取器叠层，该叠层包括顶部合成反铁磁(SAF)层、毗邻于顶部SAF层的磁覆盖层、毗邻于磁覆盖层并与顶部SAF层相对的RKKY耦合层以及毗邻于RKKY耦合层并与磁覆盖层相对的自由层。还包括一种方法，该方法通过使用位于自由层和顶部合成反铁磁(SAF)层之间的具有RKKY耦合特性的层和在SAF层和具有RKKY耦合特性的层之间的磁覆盖层提供自由层和顶SAF层之间的交换耦合，而使读取器叠层内的自由层偏置。 | ||
| 申请公布号 | CN105096967A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510203637.5 | 申请日期 | 2015.04.24 |
| 申请人 | 希捷科技有限公司 | 发明人 | E·W·辛格尔顿;谭利文;李宰荣;K·尼古拉维;Z·葛 |
| 分类号 | G11B5/127(2006.01)I;G11B5/11(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/127(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 何焜 |
| 主权项 | 一种方法，包括：通过以下方式使读取器叠层内的自由层偏置：使用位于所述自由层与顶部合成反铁磁(SAF)层之间的具有RKKY耦合特性的层和在所述顶部SAF层与所述具有RKKY耦合特性的层之间的磁覆盖层，来提供所述自由层和所述顶部SAF层之间的交换耦合。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||