| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造半导体装置的方法及其半导体装置。其中所述方法包括：提供衬底，并在衬底中形成阱区；在阱区上形成至少一个第一栅极结构，其中第一栅极结构包括栅极绝缘层以及形成在栅极绝缘层上的呈第一闭合图形的第一栅极；在处于第一闭合图形内的第一区域进行离子注入，以形成具有第一导电类型的区域；在处于第一闭合图形外的第二区域进行离子注入，以形成具有第二导电类型的区域，其中第一导电类型和第二导电类型不同。通过所述方法制造的半导体装置，能够在保持与长条纹型栅控二极管相同ESD保护能力的同时，降低寄生电容，从而提高了射频电路的电路性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105097514A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410169272.4 | 申请日期 | 2014.04.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 甘正浩 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘剑波 |
| 主权项 | 一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：提供衬底，并在衬底中形成阱区；在阱区上形成至少一个第一栅极结构，其中第一栅极结构包括栅极绝缘层以及形成在栅极绝缘层上的第一栅极，其中在阱区表面上所述第一栅极呈第一闭合图形，从而限定处于第一闭合图形内的第一区域和第一闭合图形外的第二区域；在第一区域内进行离子注入，以形成具有第一导电类型的区域；以及在第二区域内进行离子注入，以形成具有第二导电类型的区域，其中第一导电类型和第二导电类型不同。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||