| 发明名称 | 高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶和以高纯度镧为主要成分的金属栅膜 | ||
| 摘要 | 本发明的课题在于，提供能够高效且稳定地提供高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度材料镧的溅射靶和以高纯度材料镧为主要成分的金属栅用薄膜的技术。该高纯度镧的制造方法的特征在于，以除气体成分以外的纯度为2N～3N的粗镧氧化物原料为起始材料，在450～700℃的浴温下进行熔盐电解得到镧结晶，然后在将该镧结晶进行脱盐处理后，进行电子束熔炼而除去挥发性物质。 | ||
| 申请公布号 | CN103328663B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201280006129.2 | 申请日期 | 2012.01.17 |
| 申请人 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 高畑雅博;佐藤和幸;成田里安;乡原毅 |
| 分类号 | C22B59/00(2006.01)I;C22B9/22(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;C22C28/00(2006.01)I | 主分类号 | C22B59/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种高纯度镧的制造方法，其特征在于，以除气体成分以外的纯度为2N～3N的粗镧原料为起始材料，在450～700℃的浴温下进行熔盐电解得到镧结晶，然后使用脱盐炉在850℃以下的温度下将该镧结晶真空加热，并利用蒸气压差将金属物质和盐分离，由此进行脱盐处理，在脱盐处理后，进行电子束熔炼而除去挥发性物质。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||