半导体元件及其制造方法

摘要

本发明揭示形成半导体芯片接触结构的系统与方法，本发明的半导体元件及其制造方法的实施例包括顶层金属接点，例如铜，其厚度大到足以作为其底下的低介电常数、极低介电常数或超低介电常数介电层的缓冲物，接触垫或后钝化内连线可在顶层金属接点之上形成，并且可形成铜柱或焊锡凸块与顶层金属接点电性连接。本发明能够抵抗工艺及传送中的危害，在使用时产生较少的失效，且更具有可靠度。

主权项

一种半导体元件，包括：一基底，包括多个介电层与多个导电层，其中所述多个介电层的材料包括介电常数介于2.9至3.8之间的低介电常数介电材料、介电常数介于2.5至2.9之间的极低介电常数介电材料、介电常数小于2.5的超低介电常数介电材料或前述之组合；一第一钝化层，设置于所述多个导电层的一最上层之上；一金属接点，设置于该第一钝化层中，且与所述多个导电层的该最上层电性连接，该金属接点的一顶部表面与该第一钝化层的一顶部表面共平面，且该金属接点的厚度大于一连接器，与该金属接点电性连接；一第二钝化层和一接触垫，设置于该金属接点和该第一钝化层之上，且该接触垫连接该金属接点与该连接器；以及一第三钝化层，设置于该第二钝化层和该接触垫上方，且该第三钝化层接触该接触垫的顶部表面。