| 发明名称 | 半导体外延结构及其生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体外延结构及其生长方法，该半导体外延结构包括：形成于硅衬底上的成核层；形成于所述成核层上的氮化物层，所述氮化物层包括第一氮化物层和第二氮化物层；位于所述第一氮化物层和第二氮化物层之间的插入层，所述插入层中包括铝铟氮，其中铟的组分小于18%。本发明在氮化物层中引入含有铟元素的插入层，同时整个外延结构都生长在高温条件下，避免了低温插入层引入的大量缺陷，晶体质量要好于低温插入层的结果。 | ||
| 申请公布号 | CN102856359B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201210371013.0 | 申请日期 | 2012.09.28 |
| 申请人 | 苏州晶湛半导体有限公司 | 发明人 | 程凯 |
| 分类号 | H01L29/20(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮 |
| 主权项 | 一种半导体外延结构，其特征在于，包括：形成于硅衬底上的成核层；形成于所述成核层上的氮化物层，所述氮化物层包括第一氮化物层和第二氮化物层；位于所述第一氮化物层和第二氮化物层之间的插入层，所述插入层中包括铝铟氮，铝铟氮中铟的含量低于18％，所述插入层的厚度超过临界值，该临界值保证所述插入层所受到的张应力能够释放。 | ||
| 地址 | 215124 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路99号 | ||