发明名称 |
太阳能电池 |
摘要 |
本发明提供了一种太阳能电池,该太阳能电池包括:第一导电类型的衬底;与所述第一导电类型相反的第二导电类型的并且与所述衬底一起地形成p-n结的发射极区;位于所述发射极区上的抗反射层;电连接到所述发射极区的前电极部;和电连接到所述衬底的背电极部。所述衬底包括由单晶硅形成的第一区域和由多晶硅形成的第二区域。位于第一区域中的抗反射层的厚度小于位于第二区域中的抗反射层的厚度。 |
申请公布号 |
CN102903768B |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201210262809.2 |
申请日期 |
2012.07.26 |
申请人 |
LG电子株式会社 |
发明人 |
梁周弘;金真阿;南正范;梁斗焕;郑寅道;郑一炯;权亨振 |
分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
吕俊刚;刘久亮 |
主权项 |
一种太阳能电池,所述太阳能电池包括:第一导电类型的衬底;与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区,该发射极区与所述衬底一起地形成p‑n结;位于所述发射极区上的抗反射层;电连接到所述发射极区的前电极部;和电连接到所述衬底的背电极部;其中,所述衬底包括由单晶硅形成的第一区域和由多晶硅形成的第二区域,并且其中,位于所述第一区域中的所述抗反射层的厚度小于位于所述第二区域中的所述抗反射层的厚度,其中,所述抗反射层包括第一抗反射层和第二抗反射层,所述第一抗反射层直接位于所述发射极区上,并且所述第二抗反射层直接位于所述第一抗反射层上,其中,在所述第一区域中的所述第一抗反射层的厚度为30nm到50nm,并且在所述第一区域中的所述第二抗反射层的厚度为40nm到60nm并且大于在所述第一区域中的所述第一抗反射层的厚度,其中,在所述第二区域中的所述第一抗反射层的厚度为40nm到60nm,并且在所述第二区域中的所述第二抗反射层的厚度为60nm到80nm,并且其中,所述第一抗反射层的折射率为2.1到2.3,并且所述第二抗反射层的折射率为1.75到1.9。 |
地址 |
韩国首尔 |