发明名称 |
一种可热固化交联的聚碳硅烷的合成方法 |
摘要 |
一种可热固化交联的聚碳硅烷的合成方法,包括以下步骤:以复合材料用聚碳硅烷为原料,将复合材料用聚碳硅烷与含有2~3个-C=C-基团的有机硅烷化合物置于反应容器中,加入二甲苯,均匀混溶,再加入Si-H加成反应催化剂,抽真空置换高纯氮气后,在高纯氮气保护下常压或高压条件下加热进行Si-H加成反应。本发明合成方法简便,易于实施,产物PVCS在惰性气氛中400℃处理可自固化交联,热处理时能避免PCS的熔融流出,可以显著提高陶瓷收率,适于用作陶瓷基复合材料如Cf/SiC、SiCf/SiC的先驱体聚合物。 |
申请公布号 |
CN105085925A |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201510626629.1 |
申请日期 |
2015.09.28 |
申请人 |
中国人民解放军国防科学技术大学 |
发明人 |
宋永才;顾喜双;苟燕子;邵长伟;简科;王军 |
分类号 |
C08G77/60(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I |
主分类号 |
C08G77/60(2006.01)I |
代理机构 |
长沙星耀专利事务所 43205 |
代理人 |
张慧;宁星耀 |
主权项 |
一种可热固化交联的聚碳硅烷的合成方法,其特征在于,包括以下步骤:以复合材料用聚碳硅烷为原料,将复合材料用聚碳硅烷与含有2~3个‑C=C‑基团的有机硅烷化合物按一定比例置于反应容器中,按每克复合材料用聚碳硅烷加入5~20ml二甲苯的比例加入溶剂二甲苯,均匀混溶,再加入Si‑H加成反应催化剂,抽真空置换高纯氮气后,在高纯氮气保护下常压或高压条件下加热进行Si‑H加成反应;在常压下反应时,在高纯氮气保护下边搅拌边加热到90~100℃,并保温反应8~20小时后,停止反应,冷至室温后将产物溶液置于蒸馏装置中,在高纯氮气保护下,升温至160~180℃蒸馏出溶剂及未反应硅烷化合物,得到产物含乙烯基的聚碳硅烷;在高压条件下反应时,抽真空置换高纯氮气后,预充氮气至10~15MPa,加热到100~120℃,并保温反应8~20小时后,停止反应,冷至室温后将产物溶液置于蒸馏装置中,在高纯氮气保护下,升温至160~180℃蒸馏出溶剂及未反应的硅烷化合物,得到产物含乙烯基的聚碳硅烷;所述复合材料用聚碳硅烷,是由聚二甲基硅烷裂解重排合成的聚碳硅烷,其软化点为180~220℃,数均分子量为1400~1800;所述复合材料用聚碳硅烷与含有2~3个‑C=C‑基团的有机硅烷化合物的配比,复合材料用聚碳硅烷∶含有2~3个‑C=C‑基团的有机硅烷化合物质量比=1∶0.1~0.8。 |
地址 |
410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号 |