一种磁控溅射装置

摘要

本发明提供一种磁控溅射装置，属于磁控溅射技术领域，其可解决现有的磁控溅射装置无法连续、均匀、任意比例掺杂元素的问题。本发明的磁控溅射装置，包括至少两个靶，分别用于放置向同一基板的成膜区进行溅射的靶材；与每个靶分别对应的磁场产生装置，用于控制靶溅射的粒子的方向。本发明的磁控溅射装置包括至少两个靶，每个靶分别对应磁场产生装置，通过使用至少两个靶溅射，每个靶的靶材都是掺杂了不同的元素的透明导电氧化物，调整两种靶材的比例，实现均匀掺杂不同的元素的目的，通过控制磁场产生装置调节靶材的磁场，从而控制靶材的溅射速度，进而实现靶材任意比例掺杂的目的。本发明的磁控溅射装置适用于制备各种透明导电氧化物薄膜。

主权项

一种磁控溅射装置，其特征在于，包括：至少两个靶，分别用于放置向同一基板的成膜区进行溅射的靶材；与每个所述靶分别对应的磁场产生装置，用于控制靶溅射粒子的方向。