| 发明名称 | 集成电路、多层装置的结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种集成电路、多层装置的结构及其制造方法。该多层装置的结构包括：一基板；N个梯级，位于该基板上，这些梯级自该基板在一第一水平的一表面，延伸到该基板在一第二水平的一表面，其中N为大于或等于1的整数；有源层与绝缘层交错的一叠层，该叠层位于该基板上，该叠层包括多个次叠层，这些次叠层与该N个梯级对应设置以分别形成接触区域，这些接触区域位于设置在一共享水平的这些次叠层；以及多个导体，位于这些接触区域，且这些导体分别连接至各该次叠层的这些有源层的降落区域。 | ||
| 申请公布号 | CN105097816A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410382800.4 | 申请日期 | 2014.08.06 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈士弘 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种多层装置的结构，包括：一基板；N个梯级，位于该基板上，这些梯级自该基板在一第一水平的一表面，延伸到该基板在一第二水平的一表面，其中N为大于或等于1的整数；有源层与绝缘层交错的一叠层，该叠层位于该基板上，该叠层包括多个次叠层，这些次叠层与该N个梯级对应设置以分别形成接触区域，这些接触区域位于设置在一共享水平的这些次叠层；以及多个导体，位于这些接触区域，且这些导体分别连接至各该次叠层的这些有源层的降落区域。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||