| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底内具有若干沟槽，相邻沟槽之间的衬底形成鳍部，所述鳍部的顶部具有掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，采用离子注入工艺在所述沟槽底部的衬底内注入介质离子；采用退火工艺使所述介质离子与衬底的材料进行反应，在所述沟槽底部表面形成第一介质层；在所述沟槽底部的第一介质层表面形成第二介质层，所述第二介质层的表面低于所述鳍部的顶部表面。所形成的半导体结构形貌良好、性能改善。 | ||
| 申请公布号 | CN105097519A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410182739.9 | 申请日期 | 2014.04.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵海 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有若干沟槽，相邻沟槽之间的衬底形成鳍部，所述鳍部的顶部具有掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，采用离子注入工艺在所述沟槽底部的衬底内注入介质离子；采用退火工艺使所述介质离子与衬底的材料进行反应，在所述沟槽底部表面形成第一介质层；在所述沟槽底部的第一介质层表面形成第二介质层，所述第二介质层的表面低于所述鳍部的顶部表面。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||