| 发明名称 | 半导体器件制造工艺和半导体器件 | ||
| 摘要 | 本申请提供了一种半导体器件制造工艺和半导体器件。半导体器件制造工艺包括对晶圆表面进行液相金属粉末涂覆工艺处理。由于对晶圆表面进行液相金属粉末涂覆工艺处理，因而使得相邻两个金属栅极之间的通孔内和介质层的上表面均能均匀涂覆有足够反应量的液相金属粉末，保证了液相金属粉末最后能在通孔内形成金属硅化物，并能保证各处金属硅化物的厚度满足使用要求，从而使金属硅化物所在位置处具有导电性良好、电阻低、能耗低等特点，进而保证了半导体器件的导电性能、使用可靠性和工作稳定性。同时，本申请中的半导体器件制造工艺具有工艺简单、制造可靠性好的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN105097466A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410199414.1 | 申请日期 | 2014.05.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘焕新 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴贵明;张永明 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造工艺，其特征在于，包括对晶圆表面进行液相金属粉末(10)涂覆工艺处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||