| 发明名称 | 一种多晶硅薄膜的沉积方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种多晶硅薄膜的沉积方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成硅种子层；在所述硅种子层上沉积大晶粒多晶硅层；在所述大晶粒多晶硅层上沉积小晶粒多晶硅层。根据本发明的制造工艺沉积形成叠层多晶硅薄膜，能有效改善多晶硅薄膜特征尺寸均匀性，防止离子注入时沟道效应的产生，降低多晶硅耗尽效应，进而提高了器件的性能和良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN105097458A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410163828.9 | 申请日期 | 2014.04.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 赵星 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种多晶硅薄膜的沉积方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成硅种子层；在所述硅种子层上沉积大晶粒多晶硅层；在所述大晶粒多晶硅层上沉积小晶粒多晶硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||