| 发明名称 | 半导体器件和有形成在半导体台面源区绝缘栅双极晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件和有形成在半导体台面源区绝缘栅双极晶体管。一种半导体器件，包括：半导体台面，其包括与源区形成第一pn结并且与漂移区形成第二pn结的至少一个本体区。电极结构在半导体台面的相对侧上。电极结构的至少一个包括配置用于控制流过至少一个本体区的电荷载流子的栅电极。在沿着半导体台面的延伸方向布置的源区之间的分离区域中，半导体台面包括至少一个部分或完整的收缩。 | ||
| 申请公布号 | CN105097906A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510469220.3 | 申请日期 | 2015.05.12 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | R·巴布尔斯克;M·戴内塞;J·G·拉文;P·莱希纳;H-J·舒尔策 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;徐红燕 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体台面，包括与源区形成了第一pn结并且与漂移区形成了第二pn结的至少一个本体区；电极结构，在所述半导体台面的相对侧上，其中所述电极结构的至少一个包括配置用于控制流过所述至少一个本体区的电荷载流子的栅电极；以及分离区域，在沿着所述半导体台面的延伸方向而布置的所述源区之间，其中在所述分离区域中，所述半导体台面包括至少一个部分或完整的收缩。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 | ||