| 发明名称 | 一种改善栅极结构线宽粗糙度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种改善栅极结构线宽粗糙度的方法，包括：提供半导体衬底；在该半导体衬底上形成栅极结构，并在该栅极结构的侧壁上形成第一隔离层；在该栅极结构的顶部、该第一隔离层的顶部和侧壁、该半导体衬底上形成第二隔离层；在该第二隔离层上形成牺牲材料层；回蚀刻该牺牲材料层以露出位于该栅极结构的顶部和该第一隔离层的顶部的该第二隔离层；蚀刻去除位于该栅极结构的顶部和该第一隔离层的顶部的该第二隔离层；去除剩余的该牺牲材料层；去除该第一隔离层；在氢气气氛下进行退火处理；去除该第二隔离层。根据本发明，通过在氢气气氛下进行退火处理的方法，有效地将栅极结构线宽粗糙度控制在一定范围，从而提升器件的整体性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105097464A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410188492.1 | 申请日期 | 2014.05.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 韩秋华 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种改善栅极结构线宽粗糙度的方法，包括：提供半导体衬底；在该半导体衬底上形成栅极结构，并在该栅极结构的侧壁上形成第一隔离层；在该栅极结构的顶部、该第一隔离层的顶部和侧壁、该半导体衬底上形成第二隔离层；在该第二隔离层上形成牺牲材料层；回蚀刻该牺牲材料层以露出位于该栅极结构的顶部和该第一隔离层的顶部的该第二隔离层；蚀刻去除位于该栅极结构的顶部和该第一隔离层的顶部的该第二隔离层；去除剩余的该牺牲材料层；去除该第一隔离层；在氢气气氛下进行退火处理；去除该第二隔离层，得到形成于该半导体衬底上的栅极结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||