ATOMIC WRITE COMMAND SUPPORT IN A SOLID STATE DRIVE

摘要

복수의 물리적 페이지들을 저장하도록 구성되는 복수의 비휘발성 메모리 디바이스들 및 휘발성 메모리를 포함하는 데이터 저장 디바이스에서 원자성 기록 커맨드를 수행하는 방법이 개시되어 있다. 본 방법은 복수의 논리적 페이지들 (L-페이지들) 에 데이터를 저장하는 단계를 포함할 수도 있으며, 각각의 논리적 페이지는 논리적 어드레스와 연관된다. 논리적 투 물리적 어드레스 변환 맵은 휘발성 메모리에 유지될 수도 있고, 물리적 페이지들 중 하나 이상의 물리적 페이지들 내에서, 각각의 논리적 어드레스에 의해 참조되는 데이터의 물리적 어드레스의 결정을 계속 가능하게 하도록 구성될 수도 있다. 수신된 원자성 기록 커맨드에 의해 특정되는 데이터는 하나 이상의 L-페이지들에 저장될 수도 있다. 상기 원자성 기록 커맨드에 의해 특정된 데이터를 저장하는 L-페이지(들)과 연관된 상기 변환 맵에서의 엔트리 또는 엔트리들에 대한 업데이트는 상기 원자성 기록 커맨드에 의해 특정된 데이터를 저장하는 모든 L-페이지들이 파워 세이프 방식으로 기록될 때까지 지연될 수도 있다.