溅射用于基于碲化镉的光伏器件的RTB薄膜的方法

摘要

本发明名称为“溅射用于基于碲化镉的光伏器件的RTB薄膜的方法”。公开了用于在衬底上沉积电阻透明缓冲薄膜层的方法。所述方法能够包括：在按照体积包括约0.01％到约5％的水蒸气(例如，按照体积约0.05％到约1％的水蒸气)的溅射气氛中，在衬底上冷溅射(例如，在约10℃到约100℃的溅射温度)电阻透明缓冲层。然后能够在约450℃到约700℃的退火温度退火电阻透明缓冲层。在衬底上沉积电阻透明缓冲薄膜层的方法能够用在制造镉薄膜光伏器件的方法中，其中通过在电阻透明缓冲层上形成硫化镉层并且在硫化镉层上形成碲化镉层来制造镉薄膜光伏器件。

主权项

一种制造镉薄膜光伏器件的方法，所述方法包括：将电阻透明缓冲薄膜层(16)沉积在衬底(12)上；在所述电阻透明缓冲层上形成硫化镉层；以及在所述硫化镉层上形成碲化镉层；其中，用于在衬底(12)上沉积电阻透明缓冲薄膜层(16)的方法包括：在按照体积包括0.01％到5％的水蒸气的溅射气氛中，在10℃到100℃的溅射温度将电阻透明缓冲层(16)溅射在衬底(12)上；以及在450℃到700℃的退火温度退火所述电阻透明缓冲层(16)；其中从包括锌、锡或其混合物的靶来溅射所述电阻透明缓冲层。