半导体器件及其制造方法

摘要

目的是提供具有良好电特性和高度可靠性的薄膜晶体管以及含有该薄膜晶体管作为开关元件的半导体器件。形成具有培育状态的In-Ga-Zn-O基膜，培育状态表现出的电子衍射图案既不同于出现晕环形状图案的传统已知的非晶状态也不同于清楚地出现点的传统已知的晶体状态。使用具有培育状态的In-Ga-Zn-O基膜用于沟道蚀刻的薄膜晶体管的沟道形成区。

主权项

一种半导体器件，包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：沟道形成区其中所述沟道形成区包括In‑Ga‑Zn‑O基的半导体，其中所述In‑Ga‑Zn‑O基的半导体具有培育状态，其中所述In‑Ga‑Zn‑O基的半导体的所述培育状态既不是晶体状态也不是非晶状态，且其中所述培育状态是其中在电子衍射图案的分析中，一个点清楚地出现在所述电子衍射图案的中间部分,且没有点清楚地出现所述中间部分的周边而是周期性地出现的状态。