薄膜晶体管及阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置

摘要

薄膜晶体管及阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置。该薄膜晶体管的制备方法包括在半导体层的图案上形成包括两种不同厚度的光刻胶的第一光刻胶图案；以第一光刻胶图案为阻挡掩模对半导体层的图案进行重掺杂离子注入工艺，形成源极重掺杂区和漏极重掺杂区的图案；对第一光刻胶图案进行灰化处理，以去除第二厚度光刻胶，并减薄第一厚度光刻胶，形成第二光刻胶图案；再以第二光刻胶图案为阻挡掩模对半导体层的图案进行轻掺杂离子注入工艺，形成沟道区、源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区的图案。本方法可以精确高效地控制源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区的关键尺寸，并且减少了工艺步骤，从而可缩短生产时间，降低成本，提高产品质量。

主权项

一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底基板上形成半导体层的图案；在所述半导体层的图案上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案包括第一厚度光刻胶和第二厚度光刻胶，所述第一厚度光刻胶对应所述半导体层的图案中待形成沟道区的区域，所述第二厚度光刻胶对应所述半导体层的图案中待形成源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区的区域；所述第一厚度光刻胶的厚度大于所述第二厚度光刻胶的厚度；以所述第一光刻胶图案为阻挡掩模对所述半导体层的图案进行重掺杂离子注入工艺，形成源极重掺杂区和漏极重掺杂区的图案；对所述第一光刻胶图案进行灰化处理，以去除所述第二厚度光刻胶，并减薄所述第一厚度光刻胶，形成第二光刻胶图案；以所述第二光刻胶图案为阻挡掩模对所述半导体层的图案进行轻掺杂离子注入工艺，形成沟道区、源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区的图案；以及去除所述第二光刻胶图案。