半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：基底，具有主动区及终端区；外延层，设于基底上；多个第一沟槽，设于主动区的外延层中；多个第二沟槽，设于终端区的外延层中；注入阻挡层，形成于第一沟槽与第二沟槽的底部；衬层，具有第二导电型，且沿着第一沟槽与第二沟槽的侧壁顺应性形成；介电材料，填入第一沟槽与第二沟槽，且分别定义多个第一柱及多个第二柱；栅极介电层，设于外延层上；两个浮栅，形成于栅极介电层上；源极区，形成于浮栅之间；层间介电层及接触插塞。由于本发明的超级结装置使用注入阻挡层以使在终端区的沟槽底部没有高电场，因此可有效消除超级结装置的终端区击穿问题。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：一基底，具有一第一导电型，且具有一主动区及一终端区；一外延层，设于该基底上且具有该第一导电型；多个第一沟槽，设于该主动区的该外延层中；多个第二沟槽，设于该终端区的该外延层中；一注入阻挡层，形成于所述第一沟槽与所述第二沟槽的底部；一衬层，具有一第二导电型，且沿着所述第一沟槽与所述第二沟槽的侧壁顺应性形成，其中该第一导电型与该第二导电型相异；一介电材料，填入所述第一沟槽与所述第二沟槽，且分别定义多个第一柱及多个第二柱；一栅极介电层，设于该外延层上；两个浮栅，形成于该栅极介电层上，且设于距离该终端区最远的第一柱的相对应的两侧上；一源极区，形成于所述浮栅之间；一层间介电层，覆盖该栅极介电层与所述浮栅；及一接触插塞，形成于该源极区上且穿过该层间介电层。