| 发明名称 | 刻蚀的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种刻蚀的方法。其中该方法包括以下步骤：在氮化镓基LED器件的氮化镓层的上方设置预设厚度的硬掩膜层及光刻胶层；将所述氮化镓基LED器件在预设刻蚀配方下进行N电极刻蚀，得到所述氮化镓基LED器件的N电极。本发明的刻蚀的方法，在氮化镓基层上增设硬掩膜层，从而可通过调整硬掩膜层的厚度调整刻蚀倾角。硬掩膜层的厚度设定可准确调整，因此可在较大范围内准确调整刻蚀倾角。 | ||
| 申请公布号 | CN105097496A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410206633.8 | 申请日期 | 2014.05.16 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 李航 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 李芙蓉 |
| 主权项 | 一种刻蚀的方法，其特征在于，包括以下步骤：在氮化镓基LED器件的氮化镓层的上方设置光刻胶层及预设厚度的硬掩膜层；将所述氮化镓基LED器件在预设刻蚀配方下进行N电极刻蚀，得到所述氮化镓基LED器件的N电极。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||