一种半导体器件失效分析方法

摘要

本发明涉及半导体器件检测领域，尤其涉及一种半导体器件失效分析方法。在该半导体器件失效分析方法中，将插销和金属层间的介电质层全部刻蚀掉，再观测插销与金属层间连接部分，观测其中异常情况，找到导致产品失效的根源，方便实用。

主权项

一种半导体器件失效分析方法，其特征在于，包括：提供一失效半导体器件，且所述失效半导体器件包括均设置于介质层中的金属层和插销，所述金属层与所述插销连接；研磨所述失效半导体器件至所述金属层的表面；去除所述介电质层，以将所述金属层和所述插销均予以暴露；观测所述金属层与所述插销之间的接触面，以确定所述金属层与所述插销之间的接触性能。