基于sSi/SiGe/sSOI衬底的CMOS器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种基于sSi/SiGe/sSOI衬底的CMOS器件及其制作方法，所述CMOS器件包括：PMOS器件，包括硅衬底、埋氧层、应变硅层、SiGe层以及应变硅盖帽层，形成于所述SiGe层中的SiGe沟道、形成于所述SiGe层及应变硅盖帽层中且分别位于SiGe沟道两侧的P型源区及P型漏区，以及形成于所述应变硅盖帽层表面且与SiGe沟道对应的栅极结构；NMOS器件，包括形成于所述sSOI衬底的应变硅层中的sSi沟道、N型源区及N型漏区，所述N型源区及N型漏区分别位于所述sSi沟道两侧，以及形成于所述sSi沟道表面的栅极结构。本发明CMOS器件具有速度快、大驱动电流、低功耗、高集成度等优点，在集成电路领域具有广泛的应用前景。

主权项

一种基于sSi/SiGe/sSOI衬底的CMOS器件，其特征在于，所述CMOS器件包括：PMOS器件，包括硅衬底、埋氧层、应变硅层、SiGe层以及应变硅盖帽层，形成于所述SiGe层中的SiGe沟道、形成于所述SiGe层及应变硅盖帽层中且分别位于SiGe沟道两侧的P型源区及P型漏区，以及形成于所述应变硅盖帽层表面且与SiGe沟道对应的栅极结构；NMOS器件，包括形成于所述sSOI衬底的应变硅层中的sSi沟道、N型源区及N型漏区，所述N型源区及N型漏区分别位于所述sSi沟道两侧，以及形成于所述sSi沟道表面的栅极结构。