发明名称 | 电流舵结构的补偿电路和电流镜像电路 | ||
摘要 | 本发明公开了一种电流舵结构的补偿电路和电流镜像电路。该补偿电路用于对电流舵结构的电流进行补偿,电流舵结构包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管,该补偿电路包括:熔丝;第三MOS晶体管,其中,第三MOS晶体管的栅极连接至第一MOS晶体管的栅极,第三MOS晶体管的源极和第一MOS晶体管的源极均连接至电源;以及第四MOS晶体管,其中,第四MOS晶体管的栅极连接至第二MOS晶体管的栅极,其中,第四MOS晶体管的源极与第三MOS晶体管的漏极相连接,第四MOS晶体管的漏极与熔丝的第一端相连接,熔丝的第二端与第二MOS晶体管的漏极相连接。通过本申请,解决了现有技术中进行电流补偿时不利于和基准电路匹配的问题,进而达到了在进行电流补偿时便于和基准电路匹配的效果。 | ||
申请公布号 | CN105094205A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
申请号 | CN201410217761.2 | 申请日期 | 2014.05.21 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 徐丽;陈萍;李文亮 |
分类号 | G05F3/26(2006.01)I | 主分类号 | G05F3/26(2006.01)I |
代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴贵明;张永明 |
主权项 | 一种电流舵结构的补偿电路,用于对所述电流舵结构的电流进行补偿,所述电流舵结构包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管,其特征在于,所述补偿电路包括:熔丝;第三MOS晶体管,其中,所述第三MOS晶体管的栅极连接至所述第一MOS晶体管的栅极,所述第三MOS晶体管的源极和所述第一MOS晶体管的源极均连接至电源;以及第四MOS晶体管,其中,所述第四MOS晶体管的栅极连接至所述第二MOS晶体管的栅极,其中,所述第四MOS晶体管的源极与所述第三MOS晶体管的漏极相连接,所述第四MOS晶体管的漏极与所述熔丝的第一端相连接,所述熔丝的第二端与所述第二MOS晶体管的漏极相连接。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |