| 发明名称 | 一种制作半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成第一栅极材料层、栅介电层、第二栅极材料层和图案化的硬掩膜层；根据所述图案化的硬掩膜层依次刻蚀所述第二栅极材料层和所述栅介电层，以形成沟槽；在所述沟槽中形成第三栅极材料层，以填充所述沟槽；执行平坦化工艺，以去除位于所述图案化的硬掩膜层上的所述第三栅极材料层；去除所述图案化的硬掩膜层，以露出所述第二栅极材料层。根据本发明的方法制作的控制栅极多晶硅层没有界面，并且第二多晶硅层的侧壁没有受到损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN105097703A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410175156.3 | 申请日期 | 2014.04.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张翼英;任佳 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成第一栅极材料层、栅介电层、第二栅极材料层和图案化的硬掩膜层；根据所述图案化的硬掩膜层依次刻蚀所述第二栅极材料层和所述栅介电层，以形成沟槽；在所述沟槽中形成第三栅极材料层，以填充所述沟槽；执行平坦化工艺，以去除位于所述图案化的硬掩膜层上的所述第三栅极材料层；去除所述图案化的硬掩膜层，以露出所述第二栅极材料层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||