| 发明名称 | β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系单晶的生长方法 | ||
| 摘要 | 提供一种β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系单晶的生长方法，其能够使晶体结构的偏差较小的高质量的β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系单晶朝b轴方向生长。在一实施方式中，提供一种β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系单晶的生长方法，其包括：使用晶种，使添加有Sn的平板状β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系单晶朝b轴方向生长的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN105102694A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201480020148.X | 申请日期 | 2014.03.31 |
| 申请人 | 株式会社田村制作所;株式会社光波 | 发明人 | 渡边信也;饭塚和幸;土井冈庆;松原春香;增井建和 |
| 分类号 | C30B29/16(2006.01)I;C30B15/34(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人 | 徐谦;刘宁军 |
| 主权项 | 一种β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系单晶的生长方法，包括：使用晶种，使添加有Sn的平板状β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系单晶朝b轴方向生长的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||