发明名称 制作发光二极管封装结构的方法以及发光二极管元件
摘要 一种制作发光二极管封装结构的方法及发光二极管元件,该方法包括将多个彼此分离的发光二极管芯片接合至一基板,其中各发光二极管芯片包括一n型掺杂层、一量子阱有源层、以及一p型掺杂层;在彼此分离的发光二极管芯片与基板上沉积一隔离层;蚀刻隔离层以形成多个导孔开口,从而暴露出各发光二极管芯片的局部以及部分的基板;形成多个电性连接结构在隔离层上以及导孔开口中以电性连接各发光二极管芯片的n型掺杂层与p型掺杂层之一与基板;以及将彼此分离的发光二极管芯片与基板切割成多个发光二极管封装结构。此外,本发明另一实施例提供一种发光二极管元件。本发明提供了一种可电性连接小尺寸的发光二极管并同时可减少工艺时间与制作成本。
申请公布号 CN102593275B 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201110133003.9 申请日期 2011.05.18
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 夏兴国;余致广
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人 姜燕;邢雪红
主权项 一种制作发光二极管封装结构的方法,包括:将多个彼此分离的发光二极管芯片经由一第一接垫接合至一基板的一第一侧,其中各所述发光二极管芯片包括一n型掺杂层、一量子阱有源层、以及一p型掺杂层,且该第一接垫经由一穿硅导孔电性连接至位于相反于该第一侧的一第二侧上的一第二接垫;在所述多个彼此分离的发光二极管芯片与该基板上沉积一隔离层;蚀刻该隔离层以形成多个导孔开口,从而暴露出各所述发光二极管芯片的多个部分以及位于该基板的该第一侧的一第三接垫;形成多个电性连接结构在该隔离层上以及所述多个导孔开口中,以电性连接各所述发光二极管芯片的该n型掺杂层与该p型掺杂层其中之一与该基板,且该第三接垫经由一穿硅导孔电性连接至位于相反于该第一侧的该第二侧上的一第四接垫;以及将所述多个彼此分离的发光二极管芯片与该基板切割成多个发光二极管封装结构。
地址 中国台湾新竹市