发明名称 电子器件及其制造方法
摘要 本发明提供在应用激光密封等局部加热密封时,通过提高玻璃基板和密封层的粘接强度而提高了可靠性的电子器件。电子器件(1)具备第一玻璃基板(2)、第二玻璃基板(3)和将设置在这些玻璃基板(2)、(3)之间的电子元件部密封的密封层(8)。密封层(8)由用激光或红外线等电磁波对含有密封玻璃、低膨胀填充材料和电磁波吸收材料的密封材料进行局部加热而熔融固着而成的层构成。在第一玻璃基板(2)和第二玻璃基板(3)的内部生成有从与密封层(8)的界面起算的最大深度为30nm以上的反应层(11)。
申请公布号 CN102792413B 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201180013178.4 申请日期 2011.03.18
申请人 旭硝子株式会社 发明人 川浪壮平;阿见佳典;满居畅子
分类号 H01J9/26(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I 主分类号 H01J9/26(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 冯雅
主权项 一种电子器件,其包括:具有具备第一密封区域的表面的第一玻璃基板,具有具备与所述第一密封区域对应的第二密封区域的表面且以该表面与所述第一玻璃基板的所述表面相对的方式而配置的第二玻璃基板,在所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板之间设置的电子元件部,和以密封所述电子元件部的方式在所述第一玻璃基板的所述第一密封区域和所述第二玻璃基板的所述第二密封区域之间形成的密封层,其特征在于,所述密封层由用电磁波对含有密封玻璃、低膨胀填充材料和电磁波吸收材料的密封材料进行局部加热而成的熔融固着层构成,并且在所述第一玻璃基板和第二玻璃基板的内部生成了与所述密封层的反应层,该反应层的深度从密封层的形成区域的表面起至最深处为止在30nm以上。
地址 日本东京