具有能带结构电位波动的高效紫外发光二极管

摘要

一种生长AlGaN半导体材料的方法利用高于通常使用的化学计量量的过量的Ga。过量Ga导致能带结构电位波动的形成，提高了辐射性再结合的效率，并增大了使用该方法制成的光电器件，尤其是紫外发光二极管的光生成。还提供了UV LED设计和性能的若干改进，以与过量Ga生长方法一起使用。以该方法制成的器件可以用于水净化、表面消毒、通信、数据存储和取回。

主权项

一种用于制造光学器件的方法，所述方法包括：将包括表面区域的衬底提供到处理腔室中；形成覆盖所述表面区域的缓冲材料；形成覆盖所述缓冲材料的n型材料；使所述n型材料经受元素镓材料的通量以形成镓材料的层；从铝源传送元素铝材料；从氮源传送氮物料；形成覆盖所述n型材料的晶体的含铝、镓和氮的材料以形成有源区域；将所述处理腔室保持在真空环境下；以及形成覆盖所述有源区域的p型材料；并且其中，所述光学器件的特征在于电磁发射的范围从200nm到365nm，其中，所述n型材料具有硅浓度，所述硅浓度的特征在于在所述n型材料的厚度范围内是渐变或非均匀的，从而避免所述n型材料的破裂。