| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：在半导体衬底上形成牺牲层后，在牺牲层上形成以非硅氧化合物为材料的硬掩模层，刻蚀所述硬掩模层形成硬掩模，并沿着所述硬掩模刻蚀所述牺牲层，在所述牺牲层内形成开孔。以非硅氧化合物为硬掩模层材料，可有效避免刻蚀硬掩模层时，采用含氟基的刻蚀气体与牺牲层以及硬掩模层反应形成含有氟(F)、碳(C)、氧(O)和硅(Si)的副产物，进而避免上述副产物残留在牺牲层的开孔内，继而影响后续在牺牲层的开孔内形成的金属插塞的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105084299A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410199458.4 | 申请日期 | 2014.05.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 伏广才;李华乐 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成硬掩模，所述硬掩模的材料为非硅氧化合物；以所述硬掩模为掩模刻蚀所述牺牲层，在所述牺牲层内形成第一开孔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||