一种KDP类晶体生长载晶架及生长方法

摘要

本发明提供了一种KDP类晶体生长载晶架，所述载晶架包括上横杆、两个侧杆、下横板以及籽晶杆；其中两个侧杆与上横杆、下横板围成“口”字形结构；所述籽晶杆固定于所述上横杆的中间位置。本发明还提供了一种KDP类晶体的生长方法，采用本发明提供的载晶架进行晶体的生长。本发明提供的载晶架，对现有载晶架的结构进行了改进，将籽晶放置于下横板中心处细长的深凹槽内，此处溶液流动受到限制，使得籽晶可经受住长时间溶液过热处理而不致溶完，待溶液温度降低至饱和点以下即开始生长。避免了在溶液过热处理后，在溶液中引入载晶架而对溶液稳定性的影响。本发明提供的KDP类晶体生长方法能有效提高晶体生长成功率，加快晶体生长速度，提高晶体质量。

主权项

一种KDP类晶体生长载晶架，其特征在于，所述载晶架包括包括上横杆、两个侧杆、下横板以及籽晶杆；其中，两个侧杆与上横杆、下横板围成“口”字形结构，从侧柱方向看为“⊥”形；所述籽晶杆固定于所述上横杆的中间位置。