| 发明名称 | 结晶性层叠结构体以及半导体装置 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体特性好，特别地，导电性的易控制性好，能够在纵方向导通，具有良好的电学特性的结晶性层叠结构体。所述层叠结构体在所含主要成分为单轴取向的金属之金属层上，直接或介由其他层具备半导体层，并且所述半导体层所含主要成分为结晶性氧化物半导体，所述结晶性氧化物半导体是含有从镓、铟以及铝中选择的一种或两种以上的金属的氧化物半导体，并且是单轴取向的。 | ||
| 申请公布号 | CN105097896A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510233704.8 | 申请日期 | 2015.05.08 |
| 申请人 | FLOSFIA株式会社 | 发明人 | 人罗俊实;织田真也;高塚章夫 |
| 分类号 | H01L29/24(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L33/02(2010.01)I | 主分类号 | H01L29/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳瑞天谨诚知识产权代理有限公司 44340 | 代理人 | 温青玲 |
| 主权项 | 一种结晶性层叠结构体，其中，在含有单轴取向的金属作为主要成分之金属层上，直接或介由其他层具备半导体层，并且该半导体层所含主要成分为结晶性氧化物半导体，其特征在于，就所述结晶性氧化物半导体而言，是含有从镓、铟以及铝中选择的一种或两种以上的金属之氧化物半导体，并且是单轴取向。 | ||
| 地址 | 日本京都府京都市西京区御陵大原1番36号京大桂创业大厦北馆 | ||