一种可以提高SOI散热特性的器件结构

摘要

本发明公开了半导体SOI高压器件结构及其制造方法，以改善其散热性能。其中该散热性能较好的SOI器件结构，包括改变高压SOI器件场氧化层所用材料，利用不同材料的热导率及介电常数差异，在不改变器件尺寸且不对SOI三层结构部分做改动的条件下，可以有效改善SOI高压器件散热性能。

主权项

一种可以有效提高散热性能的SOI器件结构，包括传统三层结构、场氧化层及隔离氧化层，其特征在于，不改变器件尺寸且不对SOI三层结构部分做改动的条件下，可以有效改善SOI高压器件散热性能。