| 发明名称 | 具有栅极氧化物层处减小电场的半导体器件 | ||
| 摘要 | 半导体器件，例如功率MOSFET、IGBT或MOS晶闸管，例如由SiC制成，具有在栅极氧化物层界面处的减小的电场。在一个实施例中，器件包括栅极（36）、源极（34）和漏极，其中栅极至少部分地接触栅极氧化物层（40）。为了减小在栅极氧化物层上的电场，器件具有在例如N型JFET区的第二相对的导电类型的JFET区（52）内的例如P<sup>+</sup>型区的第一导电类型的高掺杂区（46’），所述JFET区（52）是例如N型漂移区的所述第二导电类型的漂移区（42）的一部分，位于例如P<sup>+</sup>型阱的所述第一导电类型的高掺杂阱（50）之间。 | ||
| 申请公布号 | CN105103297A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201380068265.9 | 申请日期 | 2013.12.04 |
| 申请人 | 科锐 | 发明人 | Q.张;B.哈尔 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/749(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/332(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;刘春元 |
| 主权项 | 一种晶体管器件，其包括栅极、漏极和源极，其中所述栅极至少部分地与栅极氧化物层接触，且其中至少一个P+区存在于结场效应（JFET）区内，以便减小在所述栅极氧化物上的电场。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||