发明名称 |
一种Flash型电存储材料及其存储器件的制备方法 |
摘要 |
本发明属于电存储器新材料与技术领域,具体涉及一种Flash型电存储材料及其电存储器件的制备方法。本发明所述的Flash型电存储器件的制备过程:将芴-三苯胺共轭聚合物或者芴-三苯胺共轭聚合物与富勒烯衍生物PCBM的混合物,配置成5~15mg/mL的氯苯溶液,然后旋涂在干净的ITO玻璃上,真空干燥,除去溶剂;最后,利用真空蒸镀的方法将顶电极Al镀在聚合物上。利用本发明制备的有机电存储器件具有工艺操作简单、成本低的特点。此外,由于本发明中电存储材料具有电子供体基团(三苯胺)和电子受体(PCBM),因此制备的存储器件具有工作电压低、开关电流比大等特点,在信息存储领域中具有良好的应用前景。 |
申请公布号 |
CN105098078A |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201510486823.4 |
申请日期 |
2015.08.10 |
申请人 |
黑龙江大学 |
发明人 |
孙治尧;李明霞;王淑红;蔡庄;赵曦;虢德超;常青;白续铎;马东阁 |
分类号 |
H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;C08G61/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/30(2006.01)I |
代理机构 |
北京市诚辉律师事务所 11430 |
代理人 |
郎坚 |
主权项 |
一种Flash型电存储器件,其特征在于它是由衬底层(1)、底电极层(2)、有机层(3)和顶电极层(4)构成的。 |
地址 |
150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号 |