发明名称 |
碳纳米管三维互连的形成方法 |
摘要 |
本发明提出一种碳纳米管三维互连的形成方法,包括以下步骤:在器件圆片上刻蚀通孔,在辅助圆片正面的部分区域刻蚀凹槽;在辅助圆片的正面沉积热红外吸收材料,并在辅助圆片的凹槽内沉积生长碳纳米管所需的催化剂薄膜,其中,红外热吸收材料至少覆盖凹槽内需要生长碳纳米管区域的表面;将器件圆片和辅助圆片进行对接,以将器件圆片和辅助圆片结合为一体;采用激光器对凹槽内对应器件圆片上需要生长碳纳米管的区域进行局部加热,并通入反应气体,以在凹槽的加热位置生长碳纳米管,并使碳纳米管进入器件圆片的通孔内以形成以碳纳米管为导体的三维互连。本发明的方法能够避免碳纳米管生长过程中高温对器件圆片上电路和器件的损坏。 |
申请公布号 |
CN105097575A |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201510400979.6 |
申请日期 |
2015.07.09 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
王喆垚 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
张大威 |
主权项 |
一种碳纳米管三维互连的形成方法,其特征在于,包括以下步骤:选取待加工的器件圆片及相应的辅助圆片,在所述器件圆片上刻蚀通孔,在所述辅助圆片正面的部分区域刻蚀凹槽,其中,所述通孔贯穿所述器件圆片的厚度,所述凹槽的表面低于所述辅助圆片的表面;在所述辅助圆片的正面沉积红外热吸收材料,并在所述辅助圆片的凹槽内沉积生长碳纳米管所需的催化剂薄膜,其中,所述红外热吸收材料至少覆盖所述凹槽内需要生长碳纳米管区域的表面;将所述器件圆片和辅助圆片进行对接,以将所述器件圆片和辅助圆片结合为一体,其中,结合后的所述器件圆片和所述辅助圆片的凹槽之间形成一个缝隙;采用激光器对所述凹槽内对应所述器件圆片上需要生长碳纳米管的区域进行局部加热,并通入反应气体,以在所述凹槽的加热位置生长碳纳米管,并使所述碳纳米管进入所述器件圆片的通孔内以形成以所述碳纳米管为导体的三维互连。 |
地址 |
100084 北京市海淀区100084-82信箱 |