半导体装置的制造方法以及半导体装置

摘要

本发明提供一种在两个半导体晶片的接合时使接合材料不易在水平方向上扩展的半导体装置的制造方法以及半导体装置。所述半导体装置具备互补型金属氧化膜半导体晶片与另外的半导体晶片，所述半导体装置的制作方法包括开口部形成工序、导通孔形成工序、配置工序、接合工序。在开口部形成工序中，在遍及作为互补型金属氧化膜半导体晶片的一部分的第一部分和作为半导体晶片的一部分的第二部分中的至少一个部分的内侧及外侧的范围内形成非贯穿的开口部。在导通孔形成工序中，在第一部分的内侧形成导通孔。在配置工序中，将第一接合材料配置在导通孔内及第一部分上，将第二接合材料配置在第二部分上。在接合工序中，将第一接合材料与第二接合材料接合。

主权项

一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具备互补型金属氧化膜半导体晶片与另外的半导体晶片，所述互补型金属氧化膜半导体晶片在表面上具备保护膜，所述半导体装置的制作方法包括：开口部形成工序，在遍及作为所述互补型金属氧化膜半导体晶片的一部分的第一部分和作为所述半导体晶片的一部分的第二部分中的至少一个部分的内侧以及外侧的范围内形成非贯穿的开口部，所述第一部分包括所述互补型金属氧化膜半导体晶片中的所述保护膜所处的表面的一部分以及位于其下方的部分，所述第二部分包括所述半导体晶片中的所述半导体晶片的表面的一部分以及位于其下方的部分；导通孔形成工序，在所述第一部分的内侧形成导通孔，所述导通孔通至所述互补型金属氧化膜半导体晶片内的金属材料；配置工序，将第一接合材料配置在所述导通孔内以及所述第一部分上，并将第二接合材料配置在所述第二部分上；接合工序，将所述被配置的第一接合材料与所述被配置的第二接合材料接合。