发明名称 喷嘴位置的检测方法及检测晶圆
摘要 本发明提供了一种喷嘴位置的检测方法和检测晶圆,包括:提供一基底;对所述基底进行涂胶、曝光和显影以形成检测图形,所述检测图形包括多个周期型排列的正方形的子图形;通过一清洗设备对所述基底进行清洗;对清洗后的基底进行缺陷检测以确认所述清洗设备的喷嘴是否位于中心位置。在本发明提供的喷嘴位置的检测方法中,通过在所述基底上形成特定的检测图形,并采用特定的清洗条件对所述基底进行清洗,使得清洗设备的喷嘴位置对准所述基底的中心位置时所述基底上能够形成特定形状的缺陷,从而根据所述基底上是否出现该缺陷就能够判断喷嘴是否对准所述基底的中心位置。
申请公布号 CN105097581A 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201410193183.3 申请日期 2014.05.08
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 易旭东
分类号 H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 屈蘅;李时云
主权项 一种喷嘴位置的检测方法,其特征在于,包括:提供一基底;对所述基底进行涂胶、曝光和显影以形成检测图形,所述检测图形包括多个周期型排列的正方形的子图形;通过一清洗设备对所述基底进行清洗;对清洗后的基底进行缺陷检测以确认所述清洗设备的喷嘴是否位于中心位置。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号