发明名称 Method of forming spin on glass type insulation layer using high pressure annealing
摘要 본 발명은 높은 종횡비(aspect ratio)를 갖는 반도체 구조에서도 저온 상태에서 균일한 절연막 형성이 가능한 스핀 온 글래스 절연막의 형성 방법에 관한 것으로, 복수의 높은 종횡비를 갖는 홀이 형성된 기판에 폴리실라제인 용액을 이용하여 스핀 온 글래스(SOG) 절연막을 도포하는 단계; 절연막의 용매 성분을 제거하기 위해 50 내지 350도 온도 범위에서 프리 베이크를 실시하는 단계; 프리 베이크 후에 제1 기압 분위기 및 제1 온도에서 1차 열처리를 실시하는 단계; 및 상기 1차 열처리 후 상기 제1 기압 분위기보다 높은 제2 기압 분위기 및 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에서 2차 열처리를 실시하는 단계를 포함한다.
申请公布号 KR101571715(B1) 申请公布日期 2015.11.25
申请号 KR20140048674 申请日期 2014.04.23
申请人 주식회사 풍산;포항공과대학교 산학협력단 发明人 황현상;이대석
分类号 H01L21/31;H01L21/324 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人
主权项
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