| 发明名称 | 用于FinFET器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法。该方法包括在衬底上形成鳍，该鳍中具有沟道区。该方法还包括形成与邻近沟道区的鳍相接合的栅极结构以及在栅极结构的侧壁上形成间隔件。该方法还包括：在鳍中形成两个凹槽，该凹槽邻近间隔件且位于栅极结构的相对两侧上；以及在两个凹槽中外延生长固相扩散(SPD)层，SPD层含有高浓度的掺杂剂。该方法还包括实施退火工艺从而将掺杂剂扩散进间隔件下面的鳍内，并且在间隔件下面的鳍中形成轻掺杂源极/漏极(LDD)区。LDD区在鳍的顶部和侧壁上具有基本均匀的掺杂剂浓度。本发明涉及用于FinFET器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105097546A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510169380.6 | 申请日期 | 2015.04.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蔡俊雄;游国丰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，所述方法包括：在衬底上形成鳍，所述鳍中具有沟道区；邻近所述沟道区形成与所述鳍相接合的栅极结构；在所述栅极结构的侧壁上形成间隔件；在所述鳍中形成两个凹槽，所述两个凹槽邻近所述间隔件并且位于所述栅极结构的相对两侧上；在所述两个凹槽中外延生长固相扩散(SPD)层，所述SPD层含有第一浓度的掺杂剂；以及实施退火工艺，从而将所述掺杂剂扩散到所述间隔件下面的所述鳍内并且在所述间隔件下面的所述鳍中形成轻掺杂源极/漏极(LDD)区。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||