| 发明名称 | 双重堆叠变容二极管 | ||
| 摘要 | 公开了一种双重堆叠变容二极管。实施方式包括与垂直堆叠的变容二极管有关的装置和方法。具体地，可以由包括阳极层、接触层和变容二极管层的垂直堆叠的层构成两个变容二极管。两个变容二极管可以共享一个或更多个公共层。在一些实施方式中两个变容二极管可以共享公共的阳极层，而在其它实施方式中两个变容二极管可以共享公共的接触层。 | ||
| 申请公布号 | CN105097956A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510226390.9 | 申请日期 | 2015.05.06 |
| 申请人 | 特里奎恩特半导体公司 | 发明人 | 彼得·V·赖特;蒂莫西·S·亨德森 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/328(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杜诚;李春晖 |
| 主权项 | 一种封装，包括：第一变容二极管，其包括第一接触层、阳极层和位于所述第一接触层和所述阳极层之间的第一变容二极管层；以及第二变容二极管，其包括第二接触层、所述阳极层和位于所述第二接触层和所述阳极层之间的第二变容二极管层；其中所述阳极层位于所述第一变容二极管层和所述第二变容二极管层之间。 | ||
| 地址 | 美国俄勒冈州 | ||