发明名称 | 用于NAND闪存器件中的缺陷修复的方法和装置 | ||
摘要 | 本申请涉及用于NAND闪存器件中的缺陷修复的方法和装置。根据实施例,描述了一种用于包括多个块和多个数据列的NAND闪存器件中的缺陷修复的方法,NAND闪存器件还包括用于修复数据列中的有缺陷的数据列的多个冗余列,该方法包括:通过从块和列中识别包含缺陷的有缺陷的块和有缺陷的数据列来形成缺陷的地图;确定缺陷的地图中是否存在一个或多个有缺陷的块以及是否存在一个或多个可用的冗余列;计算有缺陷的块中的每一个的块权重;从具有少于或等于可用的冗余列的有缺陷的列的有缺陷的块之间选择具有最大块权重的块;以及将冗余列中的一个或多个标记为不可用,该一个或多个列的数目等于所选的块中有缺陷的数据列的数目。 | ||
申请公布号 | CN105097045A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
申请号 | CN201410151031.7 | 申请日期 | 2014.04.15 |
申请人 | 爱德万测试公司 | 发明人 | 张新果;拉兹·吉夫;刘洋 |
分类号 | G11C29/44(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/44(2006.01)I |
代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 李晓冬 |
主权项 | 一种用于包括多个块和多个数据列的NAND闪存器件中的缺陷修复的方法,所述NAND闪存器件还包括用于修复所述数据列中的有缺陷的数据列的多个冗余列,所述方法包括:通过从所述块和列中识别包含缺陷的有缺陷的块和有缺陷的数据列来形成缺陷的地图;确定所述缺陷的地图中是否存在一个或多个有缺陷的块以及是否存在一个或多个可用的冗余列;通过下式计算所述有缺陷的块中的每一个的块权重:块权重=块覆盖/所述块内的有缺陷的数据列的数目,其中,所述块覆盖是作为修复所述有缺陷的块的结果而同时被修复的有缺陷的块的总数;从具有少于或等于所述可用的冗余列的有缺陷的列的所述有缺陷的块之间选择具有最大块权重的块;以及将所述冗余列中的一个或多个标记为不可用,该一个或多个列的数目等于所选的块中有缺陷的数据列的数目。 | ||
地址 | 日本东京都 |