| 发明名称 | 基于碲化镉的薄膜光伏器件所用的导电透明氧化物膜层的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明一般提供在基体(12)上形成导电氧化物层(14)的方法。在一个具体实施方案中，所述方法可包括在约50℃至约250℃的溅射温度在基体(12)上溅镀透明导电氧化物层(14)，并在约450℃至约650℃的退火(aneal)温度使透明导电氧化物层(14)退火。本发明也一般提供制备基于碲化镉的薄膜光伏器件(10)的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102208485B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201110090092.3 | 申请日期 | 2011.03.30 |
| 申请人 | 初星太阳能公司 | 发明人 | S·D·费尔德曼-皮博迪;J·A·德雷顿 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李进;林毅斌 |
| 主权项 | 一种在基体上形成导电氧化物层的方法，所述方法包括：在约50℃至约250℃的溅射温度，在基体上溅镀透明导电氧化物层；和在约450℃至约650℃的退火温度，使所述透明导电氧化物层退火；其中从含锡酸镉的靶溅镀所述透明导电氧化物层。 | ||
| 地址 | 美国科罗拉多州 | ||