半导体激光器及其形成方法、形成激光介质的方法

摘要

本发明公开了一种半导体激光器，其包括：SOI衬底；形成在SOI衬底的顶层硅层内的激光介质，所述激光介质与SOI衬底的氧化硅绝缘层之间具有2nm到30nm的硅材料层。本发明还公开一种形成激光介质层的方法，其包括：提供SOI衬底；去除部分厚度的顶层硅层，至少保留一部分；在所保留的硅层上生长激光介质。本发明还包括一种半导体激光器的形成方法，其包括前述形成激光介质层的方法。本发明通过直接在SOI衬底上形成激光介质乃至整个激光器，解决或者说避免现有技术所面临的激光器或激光介质与硅基底难以结合的问题，使得激光器产生的光信号能够传输到硅器件中，可实现激光器与别的半导体器件的一体化。

主权项

一种半导体激光器，其特征在于，包括：SOI衬底；形成在SOI衬底的顶层硅层内的激光介质，所述激光介质与SOI衬底的氧化硅绝缘层之间具有硅材料层；所述激光介质与所述氧化硅绝缘层之间的所述硅材料层的厚度为2nm到30nm。