发明名称 一种光栅的制备方法
摘要 一种光栅的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底;形成一抗蚀材料薄膜于该基底的表面;纳米压印并刻蚀所述抗蚀材料薄膜,得到抗蚀层;形成一掩模层于所述基底表面,所述掩模层覆盖所述抗蚀层以及基底通过所述抗蚀层暴露的表面;剥离所述抗蚀层及抗蚀层表面的部分掩模层,使基底形成一具图形化的掩模层;采用反应离子刻蚀法刻蚀基底得到石英光栅,刻蚀过程中刻蚀气体为四氟化碳、六氟化硫以及氩气;以及去除掩膜层。该种光栅对光波的衍射性能较好。
申请公布号 CN103091747B 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201110333523.4 申请日期 2011.10.28
申请人 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发明人 朱振东;李群庆;张立辉;陈墨
分类号 G02B5/18(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I 主分类号 G02B5/18(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种光栅的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底;形成一抗蚀材料薄膜于该基底的表面;纳米压印并刻蚀所述抗蚀材料薄膜,得到抗蚀层,该抗蚀层具有多个开口,部分基底的表面通过该多个开口暴露,所述抗蚀层为两层层叠结构,一层材料为聚甲基苯烯酸甲酯,一层为二氧化硅无机类材料;形成一掩模层于所述基底表面,所述掩模层覆盖所述抗蚀层以及基底通过所述抗蚀层暴露的表面;剥离所述抗蚀层及抗蚀层表面的部分掩模层,使基底形成一具图形化的掩模层;采用反应离子刻蚀法刻蚀基底得到石英光栅,刻蚀过程中刻蚀气体为四氟化碳、六氟化硫以及氩气;以及去除掩膜层。
地址 100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室