发明名称 图案剥离方法、电子元件及其制造方法
摘要 本发明的课题在于提供剥离性优异、且对基板的损伤少的图案剥离方法、包含所述图案剥离方法的电子元件的制造方法、及利用所述制造方法而制造的电子元件。本发明包括:抗蚀剂膜形成步骤,在基板上涂布感光化射线性或感放射线性树脂组合物,而形成抗蚀剂膜;曝光步骤,对所述抗蚀剂膜进行曝光;显影步骤,使用含有有机溶剂的显影液对经曝光的所述抗蚀剂膜进行显影,而形成负型图案;及剥离步骤,使用下述A或B的液体将所述负型图案剥离。A:含有亚砜化合物和/或酰胺化合物的液体B:含有硫酸与过氧化氢的液体。
申请公布号 CN105103054A 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201480019824.1 申请日期 2014.04.28
申请人 富士胶片株式会社 发明人 山中司;藤森亨
分类号 G03F7/42(2006.01)I;G03F7/038(2006.01)I;G03F7/039(2006.01)I;G03F7/32(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I 主分类号 G03F7/42(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 杨文娟;臧建明
主权项 一种图案剥离方法,包括:抗蚀剂膜形成步骤,在基板上涂布感光化射线性或感放射线性树脂组合物,而形成抗蚀剂膜;曝光步骤,对所述抗蚀剂膜进行曝光;显影步骤,使用含有有机溶剂的显影液对经曝光的所述抗蚀剂膜进行显影,而形成负型图案;及剥离步骤,使用下述A或B的液体将所述负型图案剥离:A:含有亚砜化合物和/或酰胺化合物的液体、B:含有硫酸与过氧化氢的液体。
地址 日本东京港区西麻布2丁目26番30号