| 发明名称 | 清洗试剂、清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法及金属互连层的制作方法 | ||
| 摘要 | 本申请提供了一种清洗试剂、清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法及金属互连层的制作方法。其中，该清洗试剂包括H<sub>2</sub>O、H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>和H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>，其中H<sub>2</sub>O、H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>、H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>的体积比为100：1.24～5：0.3～1.6。本申请还提供了一种清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法。清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法包括：配制本申请提供的清洗试剂；将经刻蚀形成的半导体器件与清洗试剂进行接触，清洗去除半导体器件中的刻蚀残留物。本申请提供的清洗试剂能够十分有效地去除刻蚀残留物，并且该试剂对金属层、介质层及衬底等半导体器件具有非常低的刻蚀速率，从而避免了清洗试剂对芯片的损害，提高了半导体器件的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN105087184A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410218925.3 | 申请日期 | 2014.05.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘焕新;胡春周;黄晓辉;宋立军 |
| 分类号 | C11D7/18(2006.01)I;C11D7/08(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | C11D7/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴贵明;张永明 |
| 主权项 | 一种清洗试剂，其特征在于，所述试剂包括H<sub>2</sub>O、H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>和H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>，其中H<sub>2</sub>O、H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>、H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>的体积比为100：1.24～5：0.3～1.6。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||